Spannungswandlermodul, Einstellbares Power-Boost-Wandlermodul mit XL6009E1-Chip für Hochleistungs- und Ultra-Analog-Digital-Wandler

Produktbeschreibung

Verwendung des XL6009E1-Chips mit Hochfrequenz-Schalttechnologie als Kernchip, überlegene Leistung. Eingebaute 4A hocheffiziente MOSFET-Schaltröhre mit bis zu 94 % Wirkungsgrad Ultraweite Eingangsspannung 3 V ~ 32 V, der beste Betriebsspannungsbereich von 5 Kleine Größe mit einer Ausgangswelligkeit von nur 50 mV Ultraweite Ausgangsspannung 5 V ~ 40 V. Verwendung des XL6009E1-Chips mit Hochfrequenz-Schalttechnologie als Kernchip, überlegene Leistung.